Омская Губерния
Министерство промышленности, транспорта и инновационных технологий Омской области

Гости ознакомились с научно-технической базой института, а также обсудили вопросы сотрудничества по наиболее перспективным направлениям деятельности.
Представители научных институтов СО РАН посетили Омский НИИ приборостроения

Представители научных институтов СО РАН посетили Омский НИИ приборостроения

Гости ознакомились с научно-технической базой института, а также обсудили вопросы сотрудничества по наиболее перспективным направлениям деятельности.

 6 марта делегация представителей научных институтов Сибирского отделения Российской академии наук, возглавляемая председателем президиума СО РАН академиком Валентином Пармоном, посетила Омский НИИ приборостроения. 

Ключевым пунктом в программе визита стало проведение круглого стола, посвященного вопросам взаимодействия Омского НИИ приборостроения с профильными академическими институтами, а также вопросам становления Института радиофизики и физической электроники Омского научного центра Сибирского отделения Российской академии наук.
Помимо руководителей и ведущих специалистов АО «ОНИИП» участниками круглого стола стали представители Института вычислительной математики и математической геофизики СО РАН, Института автоматики и электрометрии СО РАН, Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Института лазерной физики СО РАН, Института теоретической и прикладной механики им. С.А. Христиановича СО РАН, Института теплофизики им. С.С. Кутателадзе СО РАН, а также Томского Института оптики атмосферы им. В.Е. Зуева СО РАН. В мероприятии принял участие и министр промышленности, транспорта и инновационных технологий Омской области Андрей Посаженников.
Во время визита в ОНИИП представителей академической науки ознакомили с его основными подразделениями. В частности, гости побывали в дизайн-центре проектирования СБИС – «система на кристалле», где ведущие специалисты центра представили свои разработки и рассказали об основных направлениях деятельности. Кроме того, они посетили производство функциональной микроэлектроники. Гости высоко оценили специализированную элементную базу, создаваемую в Омском НИИ приборостроения. Особый интерес вызвали интегральные фильтры, выполненные на основе технологии низкотемпературной совместнообжигаемой керамики (LTCC). Выявлены общие направления для сотрудничества, в  частности, предполагается проведение совместных исследований и разработок в области систем радиосвязи, микроэлектроники, автономных источников питания, а также съема больших объемов тепла с ограниченных площадей.
Завершилось мероприятие итоговым совещанием, в ходе которого был подписан договор о сотрудничестве между Омским НИИ приборостроения и Омским научным центром Сибирского отделения Российской академии наук. Одна из главных задач договора – поддержка совместных научных исследований Омского НИИ приборостроения и Института радиофизики и физической электроники, недавно созданного на базе центра. В частности, сотрудничество предполагает проведение совместных разработок в области исследований условий распространения радиоволн в арктических областях, формирования требований к используемой там аппаратуре связи, навигации и локации, а также создание образцов ЭКБ для новых образцов техники связи.
По результатам проведенных многочисленных встреч были выработаны предложения по совместной реализации проектов, формированию заявок на участие в конкурсах, а также рассмотрены варианты сотрудничества в области создания новых разработок. 
 

07.03.2019 09:42

версия для печати

Поделиться в социальных сетях:
Поделиться ВКонтакте Поделиться в Facebook Добавить в Twitter